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 您的位置:工標(biāo)網(wǎng) >> 標(biāo)準(zhǔn)分類 >> ICS分類 >> 電子學(xué) >>31.200 集成電路、微電子學(xué)
標(biāo)準(zhǔn)編號 標(biāo)準(zhǔn)名稱 發(fā)布部門 實施日期 狀態(tài)
 GB/T 17574.11-2006  半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-11部分:數(shù)字集成電路 單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器 空白詳細(xì)規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2007-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 17574.20-2006  半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-20部分:數(shù)字集成電路 低壓集成電路族規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2007-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 17574.9-2006  半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-9部分:數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2007-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 17864-1999  關(guān)鍵尺寸(CD)計量方法 國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局 2000-06-01 現(xiàn)行
 GB/T 17865-1999  焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范 國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局 2000-06-01 現(xiàn)行
 GB/T 17866-1999  掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則 國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局 2000-06-01 現(xiàn)行
 GB/T 17940-2000  半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2000-08-01 現(xiàn)行
 GB/T 18500.1-2001  半導(dǎo)體器件 集成電路 第4部分:接口集成電路 第一篇:線性數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)空白詳細(xì)規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2002-06-01 現(xiàn)行
 GB/T 18500.2-2001  半導(dǎo)體器件 集成電路 第4部分:接口集成電路 第二篇:線性模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)空白詳細(xì)規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2002-06-01 現(xiàn)行
 GB/T 19248-2003  封裝引線電阻測試方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2003-10-01 現(xiàn)行
 GB/T 19403.1-2003  半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分:第1篇:半導(dǎo)體集成電路 內(nèi)部目檢 (不包括混合電路) 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2004-08-01 現(xiàn)行
 GB/T 20296-2006  集成電路記憶法與符號 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2007-01-01 作廢
 GB/T 20296-2012  集成電路記憶法與符號 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2013-07-01 現(xiàn)行
 GB/T 20515-2006  半導(dǎo)體器件 集成電路 第5部分:半定制集成電路 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2007-02-01 現(xiàn)行
 GB/T 20870.10-2023  半導(dǎo)體器件 第16-10部分:單片微波集成電路技術(shù)可接收程序 國家市場監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 26111-2010  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 術(shù)語 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2011-10-01 作廢
 GB/T 26112-2010  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 微機(jī)械量評定總則 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2011-10-01 現(xiàn)行
 GB/T 26113-2010  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 微幾何量評定總則 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2011-10-01 現(xiàn)行
 GB/T 26113-2010E  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 微幾何量評定總則(英文版) General Ad. 2011-10-01 現(xiàn)行
 GB/T 28274-2012  硅基MEMS制造技術(shù) 版圖設(shè)計基本規(guī)則 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2012-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 28275-2012  硅基MEMS制造技術(shù) 氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2012-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 28276-2012  硅基MEMS制造技術(shù) 體硅溶片工藝規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2012-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 28277-2012  硅基MEMS制造技術(shù) 微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2012-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 32814-2016  硅基MEMS制造技術(shù) 基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2017-03-01 現(xiàn)行
 GB/T 32815-2016  硅基MEMS制造技術(shù) 體硅壓阻加工工藝規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2017-03-01 現(xiàn)行
 GB/T 32816-2016  硅基MEMS制造技術(shù) 以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2017-03-01 現(xiàn)行
 GB/T 33922-2017  MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-02-01 現(xiàn)行
 GB/T 33929-2017  MEMS高g值加速度傳感器性能試驗方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-02-01 現(xiàn)行
 GB 3430-1989  半導(dǎo)體集成電路型號命名方法 機(jī)械電子工業(yè)部 1990-04-01 廢止
 GB 3431.2-1986  半導(dǎo)體集成電路文字符號 引出端功能符號 國家標(biāo)準(zhǔn)局 1987-04-01 現(xiàn)行
 GB/T 3432.4-1989  半導(dǎo)體集成電路TTL電路系列和品種 54/74LS系列的品種 信息產(chǎn)業(yè)部(電子) 1990-04-01 作廢
 GB/T 3434-1986  半導(dǎo)體集成電路ECL電路系列和品種 國家標(biāo)準(zhǔn)局 1986-01-02 作廢
 GB/T 3435-1987  半導(dǎo)體集成CMOS電路系列和品種 4000系列的品種 國家標(biāo)準(zhǔn)局 1987-08-01 作廢
 GB/T 34893-2017  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 34894-2017  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)應(yīng)變梯度測量方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 34898-2017  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) MEMS諧振敏感元件非線性振動測試方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 34899-2017  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于拉曼光譜法的微結(jié)構(gòu)表面應(yīng)力測試方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 34900-2017  微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-05-01 現(xiàn)行
 GB/T 35001-2018  微波電路 噪聲源測試方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-08-01 現(xiàn)行
 GB/T 35002-2018  微波電路 頻率源測試方法 國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫. 2018-08-01 現(xiàn)行
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