| 標(biāo)準(zhǔn)編號 |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實施日期 |
狀態(tài) |
| T/CSA 100-2025 |
Micro-LED芯片光電性能測試方法 |
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程.
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2025-09-28 |
現(xiàn)行 |
| T/ZSA 301-2025 |
單片集成相干光接收器芯片 |
中關(guān)村標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會
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2025-05-07 |
現(xiàn)行 |
| T/CSA 102-2025 |
異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試 白光干涉法 |
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程.
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2025-10-30 |
現(xiàn)行 |
| GB/Z 107-2025 |
半導(dǎo)體器件 基于掃描的半導(dǎo)體器件退化水平評估 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2025-12-03 |
現(xiàn)行 |
| DB13/T 5695-2023 |
GaN HEMT 射頻器件陷阱效應(yīng)測試方法 |
河北省市場監(jiān)督管理局
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2023-06-06 |
廢止 |
| DB13/T 5696-2023 |
基于高溫反偏試驗的GaN HEMT 射頻功率器件缺陷快速篩選方法 |
河北省市場監(jiān)督管理局
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2023-06-06 |
廢止 |
| DB32/T 4894-2024 |
微機電系統(tǒng)半導(dǎo)體氣體傳感器性能檢測方法 |
江蘇省市場監(jiān)督管理局
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2024-12-07 |
現(xiàn)行 |
| DB52/T 1104-2016 |
半導(dǎo)體器件結(jié)-殼熱阻瞬態(tài)測試方法 |
貴州省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
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2016-10-01 |
廢止 |
| GB/Z 102.17-2026 |
半導(dǎo)體器件 分立器件 第17部分：基本絕緣和加強絕緣的磁耦合器和電容耦合器 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-01-04 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 11499-2001 |
半導(dǎo)體分立器件文字符號 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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2002-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB 12300-1990 |
功率晶體管安全工作區(qū)測試方法 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1990-08-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 12560-1999 |
半導(dǎo)體器件 分立器件分規(guī)范 |
國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
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2000-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 12561-1990 |
發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用) |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1991-10-01 |
作廢 |
| GB/T 12562-1990 |
PIN 二極管空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用) |
信息產(chǎn)業(yè)部（電子）
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1991-10-01 |
作廢 |
| GB/T 12846-1991 |
脈沖閘流管總規(guī)范 (可供認(rèn)證用) |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1991-01-02 |
作廢 |
| GB/T 12847-1991 |
氫閘流管空白詳細(xì)規(guī)范 (可供認(rèn)證用) |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1991-01-02 |
作廢 |
| GB/T 13063-1991 |
電流調(diào)整和電流基準(zhǔn)工極管 空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1992-03-01 |
作廢 |
| GB/T 13066-1991 |
單結(jié)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1992-03-01 |
作廢 |
| GB/T 13150-1991 |
100A以上環(huán)境或管殼額定雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1992-05-01 |
作廢 |
| GB/T 13150-2005 |
半導(dǎo)體器件 分立器件 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三級晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量監(jiān)督檢驗.
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2005-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB 13151-1991 |
100A以上環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極晶閘管 空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1992-05-01 |
作廢 |
| GB/T 13151-2005 |
半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分：晶閘管 第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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2005-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 13152-1991 |
5A/5A以上環(huán)境或管殼額定逆導(dǎo)三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1992-05-01 |
廢止 |
| GB/T 13153-1991 |
5A以上環(huán)境或管殼額定可關(guān)斷晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1992-05-01 |
廢止 |
| GB/T 15137-1994 |
體效應(yīng)二極管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-04-01 |
作廢 |
| GB/T 15177-1994 |
微波檢波、混頻二極管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-04-01 |
作廢 |
| GB/T 15178-1994 |
變?nèi)荻䴓O管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
|
1995-04-01 |
作廢 |
| GB/T 15291-1994 |
半導(dǎo)體器件 第6部分 晶閘管 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
|
1995-10-01 |
作廢 |
| GB/T 15291-2015 |
半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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2017-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15292-1994 |
晶閘管測試方法 逆導(dǎo)三極晶閘管 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
|
1995-10-01 |
廢止 |
| GB/T 15293-1994 |
晶閘管測試方法 可關(guān)斷晶閘管 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
|
1995-10-01 |
廢止 |
| GB/T 15449-1995 |
管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-08-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15450-1995 |
硅雙柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
|
1995-08-01 |
作廢 |
| GB/T 15529-1995 |
半導(dǎo)體發(fā)光數(shù)碼管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15651.5-2024 |
半導(dǎo)體器件 第5-5部分：光電子器件 光電耦合器 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2024-07-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15651.6-2023 |
半導(dǎo)體器件 第5-6部分：光電子器件 發(fā)光二極管 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
|
2024-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15879.4-2019 |
半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形的分類和編碼體系 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2019-12-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15879.612-2025 |
半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-12部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則 密節(jié)距焊盤陣列封裝（FLGA）的設(shè)計指南 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實施 |
| GB/T 16468-1996 |
靜電感應(yīng)晶體管系列型譜 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1997-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 16894-1997 |
大于100A,環(huán)境和管殼額定的整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
|
1998-03-01 |
現(xiàn)行 |