基于高溫反偏試驗的GaN HEMT 射頻功率器件缺陷快速篩選方法 |
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| 標準編號：DB13/T 5696-2023 |
標準狀態(tài)：已廢止 |
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| 標準價格：0.0 元 |
客戶評分：  |
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立即購買工即可享受本標準狀態(tài)變更提醒服務(wù)！ |
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本文件規(guī)定了基于高溫反偏試驗的GaN HEMT射頻功率器件缺陷快速篩選的篩選原理、篩選條件、篩選系統(tǒng)構(gòu)成和要求、篩選方法和判據(jù)。
本文件適用于工業(yè)級GaN HEMT射頻功率器件的快速篩選,GaN HEMT射頻功率模塊可參照使用。 |
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| 標準狀態(tài)： |
已廢止 |
 替代情況： |
公告：河北省市場監(jiān)管局關(guān)于廢止721項河北省地方標準的公告 2025年第27號 |
| 中標分類： |
電子元器件與信息技術(shù)>>半導體分立器件>>L40半導體分立器件綜合 |
| ICS分類： |
電子學>>31.080半導體器件 |
| 發(fā)布部門： |
河北省市場監(jiān)督管理局 |
| 發(fā)布日期： |
2023-05-06 |
| 實施日期： |
2023-06-06
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| 作廢日期： |
2025-10-08
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| 提出單位： |
石家莊市市場監(jiān)督管理局 |
| 起草單位： |
河北博威集成電路有限公司 |
| 起草人： |
郭躍偉、王鵬、張博、王靜輝、閆志峰、郝永利、王景亮、劉子浩 |
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本文件按照GB/T 1.1-2020《標準化工作導則第1部分:標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任。
本文件由石家莊市市場監(jiān)督管理局提出。
本文件起草單位:河北博威集成電路有限公司。
本文件主要起草人:郭躍偉、王鵬、張博、王靜輝、閆志峰、郝永利、王景亮、劉子浩。
本文件為首次發(fā)布。 |
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