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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 標(biāo)準(zhǔn)名稱 發(fā)布部門 實(shí)施日期 狀態(tài)
 GB/T 35008-2018  串行NOR型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范 國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫. 2018-08-01 現(xiàn)行
 GB/T 35009-2018  串行NAND型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范 國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫. 2018-08-01 現(xiàn)行
 GB/T 36474-2018  半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DDR3 SDRAM)測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2019-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 36477-2018  半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2019-01-01 現(xiàn)行
 GB 3834-1983  半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 1984-07-01 作廢
 GB/T 3835-1983  半導(dǎo)體集成電路接口電路系列和品種 1984-07-01 作廢
 GB/T 39842-2021  集成電路(IC)卡封裝框架 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2021-07-01 現(xiàn)行
 GB/T 42744-2023  微波電路 電調(diào)衰減器測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-03-01 現(xiàn)行
 GB/T 42835-2023  半導(dǎo)體集成電路 片上系統(tǒng)(SoC) 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 42836-2023  微波半導(dǎo)體集成電路 混頻器 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 42837-2023  微波半導(dǎo)體集成電路 放大器 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 42838-2023  半導(dǎo)體集成電路 霍爾電路測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 42839-2023  半導(dǎo)體集成電路 模擬數(shù)字(AD)轉(zhuǎn)換器 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 42848-2023  半導(dǎo)體集成電路 直接數(shù)字頻率合成器測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-01 現(xiàn)行
 GB/T 42968.1-2023  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第1部分:通用條件和定義 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 42968.2-2024  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第2部分:輻射抗擾度測(cè)量 TEM小室和寬帶TEM小室法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-10-26 現(xiàn)行
 GB/T 42968.3-2025  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第3部分:大電流注入(BCI)法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2025-12-02 現(xiàn)行
 GB/T 42968.4-2024  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第4部分:射頻功率直接注入法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-12-31 現(xiàn)行
 GB/T 42968.5-2025  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第5部分:工作臺(tái)法拉第籠法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2025-12-02 現(xiàn)行
 GB/T 42968.8-2023  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第8部分:輻射抗擾度測(cè)量 IC帶狀線法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 42968.9-2025  集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第9部分:輻射抗擾度測(cè)量 表面掃描法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2025-12-02 現(xiàn)行
 GB/T 42969-2023  元器件位移損傷試驗(yàn)方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 42970-2023  半導(dǎo)體集成電路 視頻編解碼電路測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 42973-2023  半導(dǎo)體集成電路 數(shù)字模擬(DA)轉(zhuǎn)換器 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 42974-2023  半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器(FLASH) 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 42975-2023  半導(dǎo)體集成電路 驅(qū)動(dòng)器測(cè)試方法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 43034.2-2024  集成電路 脈沖抗擾度測(cè)量 第2部分: 同步瞬態(tài)注入法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-10-26 現(xiàn)行
 GB/T 43034.3-2023  集成電路 脈沖抗擾度測(cè)量 第3部分:非同步瞬態(tài)注入法 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-01-01 現(xiàn)行
 GB/T 43452-2023  模擬/混合信號(hào)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核交付項(xiàng)要求 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-04-01 現(xiàn)行
 GB/T 43453-2023  模擬/混合信號(hào)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核文檔結(jié)構(gòu)指南 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-04-01 現(xiàn)行
 GB/T 43454-2023  集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核設(shè)計(jì)要求 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2023-12-28 現(xiàn)行
 GB/T 43455-2023  模擬/混合信號(hào)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核質(zhì)量評(píng)測(cè) 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-04-01 現(xiàn)行
 GB/T 43536.2-2023  三維集成電路 第2部分:微間距疊層芯片的校準(zhǔn)要求 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-04-01 現(xiàn)行
 GB 4376-1984  半導(dǎo)體集成電路穩(wěn)壓器系列和品種 1985-02-01 作廢
 GB/T 4376-1994  半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器系列和品種 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局 1995-04-01 現(xiàn)行
 GB 4377-1984  半導(dǎo)體集成電路 穩(wěn)壓器測(cè)試方法的基本原理 1985-02-01 作廢
 GB/T 4377-1996  半導(dǎo)體集成電路 電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局 1997-01-01 作廢
 GB/T 4377-2018  半導(dǎo)體集成電路 電壓調(diào)整器測(cè)試方法 國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫. 2018-08-01 現(xiàn)行
 GB/T 4378-1984  半導(dǎo)體集成電路 cμ6800/cμ6809微處理機(jī)電路系列和品種 1985-02-01 作廢
 GB/T 4379-1984  半導(dǎo)體集成電路 cμ8080/cμ8085微處理機(jī)電路系列和品種 1985-02-01 作廢
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