| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實(shí)施日期 |
狀態(tài) |
| GB/T 43040-2023 |
半導(dǎo)體集成電路 AC/DC變換器測(cè)試方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43061-2023 |
半導(dǎo)體集成電路 PWM控制器測(cè)試方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43063-2023 |
集成電路 CMOS圖像傳感器測(cè)試方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/Z 43510-2023 |
集成電路TSV三維封裝可靠性試驗(yàn)方法指南 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43536.1-2023 |
三維集成電路 第1部分：術(shù)語(yǔ)和定義 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43538-2023 |
集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-07-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43931-2024 |
宇航用微波集成電路芯片通用規(guī)范 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43939-2024 |
宇航用石英撓性加速度計(jì)伺服電路通用測(cè)試方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-08-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43940-2024 |
4Mb/s數(shù)字式時(shí)分制指令/響應(yīng)型多路傳輸數(shù)據(jù)總線測(cè)試方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-08-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44775-2024 |
集成電路三維封裝 芯片疊層工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-05-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44791-2024 |
集成電路三維封裝 帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-05-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44796-2024 |
集成電路三維封裝 帶凸點(diǎn)圓片劃片工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-05-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 45720-2025 |
半導(dǎo)體器件 柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)介電擊穿（TDDB）試驗(yàn) |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-09-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46280.1-2025 |
芯粒互聯(lián)接口規(guī)范 第1部分：總則 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46280.2-2025 |
芯粒互聯(lián)接口規(guī)范 第2部分：協(xié)議層技術(shù)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46280.3-2025 |
芯粒互聯(lián)接口規(guī)范 第3部分：數(shù)據(jù)鏈路層技術(shù)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46280.4-2025 |
芯粒互聯(lián)接口規(guī)范 第4部分：基于2D封裝的物理層技術(shù)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46280.5-2025 |
芯�；ヂ�(lián)接口規(guī)范 第5部分：基于2.5D封裝的物理層技術(shù)要求 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB 7092-1986 |
半導(dǎo)體集成電路外形尺寸 |
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1987-10-01 |
作廢 |
| GB/T 7092-1993 |
半導(dǎo)體集成電路外形尺寸 |
國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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1993-08-01 |
作廢 |
| GB/T 7092-2021 |
半導(dǎo)體集成電路外形尺寸 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2021-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB 8976-1988 |
膜集成電路和混合集成電路總規(guī)范 |
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1988-07-01 |
作廢 |
| GB/T 8976-1996 |
膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范 |
國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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1997-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB 9178-1988 |
集成電路術(shù)語(yǔ) |
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局
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1988-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ/T 10741-2000 |
半導(dǎo)體集成電路 ＣＭＯＳ電路測(cè)試方法的基本原理 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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2001-03-01 |
廢止 |
| SJ/T 10804-2000 |
半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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2001-03-01 |
廢止 |
| SJ/T 10805-2000 |
半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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2001-03-01 |
作廢 |
| SJ 20802-2001 |
集成電路金屬外殼目檢標(biāo)準(zhǔn) |
信息產(chǎn)業(yè)部
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2002-01-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20938-2005 |
微波電路變頻測(cè)試方法 |
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2006-06-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20954-2006 |
集成電路鎖定試驗(yàn) |
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2006-12-30 |
現(xiàn)行 |
| SJ 20961-2006 |
集成電路A/D和D/A轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理 |
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2006-12-30 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2817-1987 |
膜集成電路和混合集成電路外形尺寸 |
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2003-03-01 |
作廢 |
| SJ/Z 9015.1-1987 |
半導(dǎo)體器件 集成電路 第一部分:總則 |
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1987-09-14 |
作廢 |
| T/CIE 117-2021 |
MEMS器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法 |
中國(guó)電子學(xué)會(huì)
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2022-02-01 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 120-2021 |
半導(dǎo)體集成電路硬件木馬檢測(cè)方法 |
中國(guó)電子學(xué)會(huì)
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2022-02-01 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 146-2022 |
微機(jī)電（MEMS）器件晶圓鍵合試驗(yàn)評(píng)價(jià)方法 |
中國(guó)電子學(xué)會(huì)
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2023-01-31 |
現(xiàn)行 |
| ZBBZH/ZS |
中國(guó)石化加油集成電路(IC)卡應(yīng)用規(guī)范(V1.0版) |
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2000-11-01 |
現(xiàn)行 |
| ZB L 55001-1989 |
機(jī)電儀專用集成電路型號(hào)命名方法 |
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1990-01-01 |
作廢 |