| 標(biāo)準(zhǔn)編號 |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實(shí)施日期 |
狀態(tài) |
| GB/T 29507-2013 |
硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2014-02-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 13387-2009 |
硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 13388-2009 |
硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 14139-2009 |
硅外延片 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 14141-2009 |
硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 14144-2009 |
硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 14146-2009 |
硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 14264-1993 |
半導(dǎo)體材料術(shù)語 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1993-01-02 |
作廢 |
| GB/T 14264-2009 |
半導(dǎo)體材料術(shù)語 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 14264-2024 |
半導(dǎo)體材料術(shù)語 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2024-11-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 14844-1993 |
半導(dǎo)體材料牌號表示方法 |
國家技術(shù)監(jiān)督局
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1994-09-01 |
作廢 |
| GB/T 14844-2018 |
半導(dǎo)體材料牌號表示方法 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2019-11-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 14847-2010 |
重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 14863-2013 |
用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流子濃度的方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2014-08-15 |
廢止 |
| GB/T 1551-2009 |
硅單晶電阻率測定方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 1553-2009 |
硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 1554-2009 |
硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 1555-2009 |
半導(dǎo)體單晶晶向測定方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 1558-2009 |
硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 16595-2019 |
晶片通用網(wǎng)格規(guī)范 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2020-02-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 16596-2019 |
確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2020-02-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24574-2009 |
硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24575-2009 |
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24576-2009 |
高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗(yàn)方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24577-2009 |
熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機(jī)污染物 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24578-2009 |
硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 24579-2009 |
酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24580-2009 |
重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 24581-2009 |
低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測試方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 24582-2009 |
酸浸取 電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì) |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2010-06-01 |
作廢 |
| GB/T 25075-2010 |
太陽能電池用砷化鎵單晶 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 25076-2010 |
太陽電池用硅單晶 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-04-01 |
作廢 |
| GB/T 26065-2010 |
硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 26066-2010 |
硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-10-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 26068-2010 |
硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-10-01 |
作廢 |
| GB/T 26069-2010 |
硅退火片規(guī)范 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-10-01 |
作廢 |
| GB/T 26071-2010 |
太陽能電池用硅單晶切割片 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2011-10-01 |
作廢 |
| GB/T 29057-2012 |
用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)多晶硅棒的規(guī)程 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2013-10-01 |
作廢 |
| GB/T 29057-2023 |
用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)多晶硅棒的規(guī)程 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2024-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 29505-2013 |
硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法 |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2014-02-01 |
現(xiàn)行 |