重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 14847-2010 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：29.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
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本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm 和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm 且外延層厚度大于2μm 的n型和p型硅外延層厚度的測(cè)量;在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測(cè)試0.5μm~2μm 之間的n型和p型外延層厚度。 |
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| 英文名稱： |
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
 替代情況： |
被GB/T 14847-2025代替;替代GB/T 14847-1993 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2011-01-10 |
| 實(shí)施日期： |
2011-10-01
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| 作廢日期： |
2026-05-01
即將作廢 距離作廢日期還有12天
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| 首發(fā)日期： |
1993-12-30 |
| 歸口單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部門： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
寧波立立電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心 |
| 起草人： |
李慎重、何良恩、許峰、劉培東、何秀坤 |
| 頁(yè)數(shù)： |
12頁(yè) |
| 出版社： |
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 書號(hào)： |
155066·1-42666 |
| 出版日期： |
2011-10-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14847—1993《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14847—1993相比,主要技術(shù)內(nèi)容變化如下:
———修改原標(biāo)準(zhǔn)“1主題內(nèi)容與適用范圍”中襯底和外延層室溫電阻率明確為在23℃下電阻率,增加在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測(cè)試0.5μm~2μm 之間的N 型和P型外延層厚度;
———修改原標(biāo)準(zhǔn)“2引用標(biāo)準(zhǔn)”為“規(guī)范性引用文件”,增加有關(guān)的引用標(biāo)準(zhǔn);
———增加“3術(shù)語(yǔ)和定義”部分;
———補(bǔ)充和完善“4測(cè)試方法原理內(nèi)容”;
———增加“5干擾因素部分”;
———原標(biāo)準(zhǔn)5改為7,刪除“5.1襯底和外延層導(dǎo)電類型及襯底電阻率應(yīng)是已知的”內(nèi)容,增加防止試樣表面大面積晶格不完整以及要求測(cè)試前表面進(jìn)行清潔處理的內(nèi)容;
———原標(biāo)準(zhǔn)6改為8,對(duì)選取試樣的外延厚度的要求改為對(duì)襯底電阻率和譜圖波數(shù)位置的要求,并增加8.3.5采用GB/T1552中規(guī)定的方法在對(duì)應(yīng)的反面位置測(cè)試襯底電阻率;
———原標(biāo)準(zhǔn)7改為9,增加極值波數(shù)和波長(zhǎng)的轉(zhuǎn)換公式。刪除原7.2經(jīng)驗(yàn)計(jì)算法內(nèi)容;
———原標(biāo)準(zhǔn)8改為10,增加多個(gè)實(shí)驗(yàn)室更廣范圍的測(cè)試數(shù)據(jù)分析結(jié)果;
———原標(biāo)準(zhǔn)9改為11,試驗(yàn)報(bào)告中要求增加紅外儀器的波數(shù)范圍、掩模孔徑、波數(shù)掃描速度、波長(zhǎng)和極值級(jí)數(shù)等內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:寧波立立電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李慎重、何良恩、許峰、劉培東、何秀坤。
本部分所代替的歷次版本標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布情況為:
———GB/T14847—1993。 |
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下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
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