用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法 |
 |
| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 14863-2013 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已廢止 |
|
| 標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格：36.0 元 |
客戶評(píng)分：  |
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)有現(xiàn)貨可當(dāng)天發(fā)貨一線城市最快隔天可到！ |
|
|
|
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值相同或相反導(dǎo)電類型襯底上的n型或p型外延層的凈載流子濃度測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測(cè)量。 |
|
|
|
| 英文名稱： |
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已廢止 |
 替代情況： |
替代GB/T 14863-1993;廢止公告：國家標(biāo)準(zhǔn)公告2017年第31號(hào) |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2013-12-31 |
| 實(shí)施日期： |
2014-08-15
|
| 作廢日期： |
2017-12-15
|
| 提出單位： |
中華人民共和國工業(yè)和信息化部 |
| 歸口單位： |
中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 |
| 主管部門： |
中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 |
| 起草單位： |
信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 |
| 起草人： |
何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠 |
| 頁數(shù)： |
16頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2014-08-15 |
|
|
|
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14863—1993《用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14863—1993相比,主要有下列變化:
———增加了標(biāo)準(zhǔn)的“前言”;
———調(diào)整并增加了引用標(biāo)準(zhǔn);
———對(duì)試驗(yàn)條件、試驗(yàn)方法進(jìn)行了簡(jiǎn)化和調(diào)整;
———對(duì)附錄進(jìn)行了調(diào)整。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB/T14863—1993。 |
|
|
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T14141 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法
GB/T14146 硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法
GB/T14847 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延厚度的紅外反射測(cè)量方法
SEMIMF110-1105 用磨角和染色技術(shù)測(cè)定硅外延或擴(kuò)散層厚度的試驗(yàn)方法 |
|
|
|
| |