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第一次會(huì)議：項(xiàng)目包括（修改） （洛陽(yáng)） 六月
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國(guó)標(biāo)
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項(xiàng)目名稱(chēng)
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主起草單位
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備注
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GB/T 14264-1993
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半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
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中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所、有色院等
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第二次會(huì)議
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GB/T 1555-1997
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半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 1558-1997
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硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 4058-1995
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硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 6616-1995
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半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定 非接觸渦流法
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有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 6617-1995
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硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?
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中科院半導(dǎo)體所
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討論會(huì)
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GB/T 6618-1995
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硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
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有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 6619-1995
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硅片彎曲度測(cè)試方法
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洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
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討論會(huì)
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GB/T 6620-1995
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硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法
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洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
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討論會(huì)
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GB/T 6621-1995
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硅拋光片表面平整度測(cè)試方法
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上海合晶硅材料有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 6624-1995
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硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法
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上海合晶硅材料有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 10118-1988
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高純鎵
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有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 11072-1989
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銻化銦多晶、單晶及切割片
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 13387-1992
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電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法
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有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 13388-1992
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硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線(xiàn)測(cè)量方法
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有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 14141-1993
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硅處延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針?lè)?
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 14146-1993
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硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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第二次會(huì)議：項(xiàng)目包括 （青島） 八月
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國(guó)標(biāo)
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項(xiàng)目名稱(chēng)
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主起草單位
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備注
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GB/T 1550-1997
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非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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整合
GB/T 1551-1995
GB/T 1552-1995
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硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針?lè)?
硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?
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廣州半導(dǎo)體所
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討論會(huì)
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GB/T 1553-1997
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硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 1554-1995
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硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 4061-1983
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硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
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洛陽(yáng)中硅
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討論會(huì)
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GB/T 10117-1988
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高純銻
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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GB/T 12963-1996
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硅多晶
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洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
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討論會(huì)
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GB/T 14140-1993
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硅片直徑測(cè)量方法
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洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
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討論會(huì)
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GB/T 14139-1993
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硅外延片
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上海合晶硅材料有限公司
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討論會(huì)
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GB/T 14144-1993
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硅晶中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法
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峨嵋半導(dǎo)體材料廠
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討論會(huì)
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整合
GB/T 15713-1995、GB/T 5238-1995
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鍺單晶、鍺單晶片
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南京鍺廠有限責(zé)任公司
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討論會(huì)
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第三次會(huì)議：項(xiàng)目包括 半導(dǎo)體年會(huì)
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國(guó)標(biāo)
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項(xiàng)目名稱(chēng)
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主起草單位
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備注
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GB/T 14264-1993
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半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
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中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
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審定
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GB/T
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太陽(yáng)能電池用單晶硅
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中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
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討論會(huì)
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GB/T
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太陽(yáng)能電池用多晶硅
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中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
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討論會(huì)
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GB/T
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使用全反射X光熒光光譜測(cè)量硅片表面金屬玷污的測(cè)試方法
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有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
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討論會(huì)
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GB/T
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半導(dǎo)體襯墊材料的亞表面損傷偏振反射差分譜（RDS）測(cè)試方法
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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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討論會(huì)
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GB/T
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硅片平整度、厚度及厚度變化測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法
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上海合晶硅材料有限公司
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討論會(huì)
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