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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 標(biāo)準(zhǔn)名稱 發(fā)布部門 實(shí)施日期 狀態(tài)  GB 1423-1978  貴金屬及其合金密度測(cè)量方法 1979-07-01 作廢  GB/T 1423-1996  貴金屬及其合金密度的測(cè)試方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-04-01 現(xiàn)行  GB 1424-1978  貴金屬及其合金電阻系數(shù)測(cè)量方法 1979-07-01 作廢  GB/T 1424-1996  貴金屬及其合金材料電阻系數(shù)測(cè)試方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-04-01 現(xiàn)行  GB 1425-1978  熱分析測(cè)量貴金屬共晶合金熔流點(diǎn)的試驗(yàn)方法 1979-07-01 作廢  GB/T 1425-1996  貴金屬及其合金熔化溫度范圍的測(cè)定 熱分析試驗(yàn)方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-04-01 作廢  GB/T 1425-2021  貴金屬及其合金熔化溫度范圍的測(cè)定 熱分析試驗(yàn)方法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2022-03-01 現(xiàn)行  GB/T 1425-2021E  貴金屬及其合金熔化溫度范圍的測(cè)定 熱分析試驗(yàn)方法（英文版） 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2022-03-01 現(xiàn)行  GB/T 14453-1993  金屬材料高溫彈性模量測(cè)量方法 圓盤振子法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1994-01-01 作廢  GB/T 1479-1984  金屬粉末松裝密度的測(cè)定 第一部分:漏斗法 國家標(biāo)準(zhǔn)局 1984-01-02 作廢  GB 1480-1984  金屬粉末粒度組成的測(cè)定 干篩分法 1984-12-01 作廢  GB/T 1480-1995  金屬粉末粒度組成的測(cè)定 干篩分法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1995-01-02 作廢  GB 1481-1984  金屬粉末(不包括硬質(zhì)合金用粉末)在單軸壓制中壓縮性的測(cè)定 1984-12-01 作廢  GB/T 1482-1984  金屬粉末流動(dòng)性的測(cè)定 標(biāo)準(zhǔn)漏斗法(霍爾流速計(jì)) 國家標(biāo)準(zhǔn)局 1984-01-02 作廢  GB/T 14847-1993  重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1994-09-01 作廢  GB/T 14847-2025  重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的測(cè)試 紅外反射法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2026-05-01 即將實(shí)施  GB/T 15077-1994  貴金屬及其合金材料幾何尺寸測(cè)量方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1994-12-01 作廢  GB/T 15078-1994  貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1994-12-01 作廢  GB/T 15078-2021  貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2022-03-01 現(xiàn)行  GB/T 15250-1994  壓電鈮酸鋰單晶體聲波衰減測(cè)試方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1995-06-01 作廢  GB 1550-1979  硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)定方法 1980-01-01 作廢  GB/T 1550-1997  非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-01-02 作廢  GB/T 1550-2018  非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2019-11-01 現(xiàn)行  GB 1551-1979  硅單晶電阻率直流二探針測(cè)量方法 1980-01-01 作廢  GB/T 1551-1995  硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1995-01-02 作廢  GB/T 1551-2021  硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針法和直流兩探針法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2021-12-01 現(xiàn)行  GB 1552-1979  硅單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法 1980-01-01 作廢  GB/T 1552-1995  硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1995-01-02 作廢  GB 1553-1979  硅單晶壽命直流光電導(dǎo)衰退測(cè)量方法 1980-01-01 作廢  GB/T 1553-1997  硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-01-02 作廢  GB/T 1553-2023  硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)定 光電導(dǎo)衰減法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-03-01 現(xiàn)行  GB 1555-1979  硅單晶晶向光圖測(cè)量方法 1980-01-01 作廢  GB/T 1555-1997  半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1998-08-01 作廢  GB/T 1555-2023  半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局. 2024-03-01 現(xiàn)行  GB 1556-1979  硅單晶晶向X光衍射測(cè)量方法 1980-01-01 作廢  GB/T 1557-1989  硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1990-02-01 作廢  GB/T 1557-2006  硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法 質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局. 2006-11-01 作廢  GB 1558-1983  測(cè)定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法 1984-09-01 作廢  GB/T 1558-1997  硅中代位碳原子含量 紅外吸收測(cè)量方法 國家技術(shù)監(jiān)督局 1998-08-01 作廢  GB/T 16595-1996  晶片通用網(wǎng)格規(guī)范 國家技術(shù)監(jiān)督局 1997-04-01 作廢

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