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| 英文名稱： |
Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method |
 替代情況： |
替代GB/T 1553-2009 |
| 中標分類： |
冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法 |
| ICS分類： |
冶金>>77.040金屬材料試驗 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2023-08-06 |
| 實施日期： |
2024-03-01
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| 提出單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
有研半導體硅材料股份公司、有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司、廣州昆德半導體測試技術有限公司、青海芯測科技有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司、浙江海納半導體股份有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司等 |
| 起草人： |
孫燕、寧永鐸、李素青、朱曉彤、賀東江、王昕、薛心祿、徐巖、潘金平、嚴大洲、王彬、蔡云鵬、田新、趙培芝、冉勝國、韓成福、普世坤、蔡麗艷、高源、趙晶、崔丁方 |
| 頁數(shù)： |
32頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |