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| 英文名稱： |
Test method for gloss of silicon wafer |
 中標分類： |
冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法 |
| ICS分類： |
冶金>>77.040金屬材料試驗 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2023-08-06 |
| 實施日期： |
2024-03-01
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| 提出單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海納半導體股份有限公司、有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司、天津中環(huán)領先材料技術有限公司、山東有研半導體材料有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、麥斯克電子材料股份有限公司、廣東金灣高景太陽能科技有限公司等 |
| 起草人： |
梁興勃、李琴、張海英、林松青、潘金平、李素青、張雪囡、由佰玲、邊永智、莊智慧、沈輝輝、焦二強、韓云霄、徐志群、付明全、詹玉峰、王可勝 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |