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| 英文名稱： |
Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots,silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor |
 中標分類： |
冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法 |
| ICS分類： |
冶金>>77.040金屬材料試驗 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2023-08-06 |
| 實施日期： |
2024-03-01
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| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備與材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備與材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備與材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備與材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司、弘元新材料(包頭)有限公司、隆基綠能科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司、四川永祥光伏科技有限公司 |
| 起草人： |
張雪囡、王林、王建平、李向宇、楊陽、鄧浩、劉文明、趙子龍、郭紅強、張石晶、潘金平、李壽琴、趙軍 |
| 頁數(shù)： |
20頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |