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半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的測(cè)試 X射線衍射法

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 42676-2023 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格:33.0 客戶評(píng)分:星星星星1
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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本文件描述了利用X射線衍射儀測(cè)試半導(dǎo)體材料雙晶搖擺曲線半高寬,進(jìn)而評(píng)價(jià)半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的方法。本文件適用于碳化硅、金剛石、氧化鎵等單晶材料晶體質(zhì)量的測(cè)試,硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的測(cè)試也可參照本文件執(zhí)行。
英文名稱:  Test method for crystalline quality of semiconductive single crystal—X-ray diffraction method
什么是中標(biāo)分類? 中標(biāo)分類:  冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
什么是ICS分類?  ICS分類:  冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)
發(fā)布部門:  國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:  2023-08-06
實(shí)施日期:  2024-03-01
提出單位:  全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
什么是歸口單位? 歸口單位:  全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位:  中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、弘元新材料(包頭)有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司等
起草人:  何烜坤、劉立娜、李素青、龐越、馬春喜、許蓉、任殿勝、王元立、朱曉彤、李向宇、楊陽(yáng)、潘金平、王書明、趙松彬、林泉、李國(guó)平、張新峰、趙麗麗、夏秋良
頁(yè)數(shù):  12頁(yè)
出版社:  中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
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