| 標準編號 |
標準名稱 |
發(fā)布部門 |
實施日期 |
狀態(tài) |
| GB/T 4937.39-2025 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第39部分：半導體器件用有機材料的潮氣擴散率和水溶解度測量 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實施 |
| GB/T 4937.4-2012 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分：強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗（HAST） |
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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2013-02-15 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 4937.40-2025 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第40部分：采用應變儀的板級跌落試驗方法 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實施 |
| GB/T 4937.41-2026 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第41部分：非易失性存儲器可靠性試驗方法 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-09-01 |
即將實施 |
| GB/T 4937.42-2023 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2023-12-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 4937.44-2025 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第44部分：半導體器件的中子輻照單粒子效應（SEE）試驗方法 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實施 |
| GB/T 4937.8-2025 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第8部分：密封 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實施 |
| GB/T 4937.9-2026 |
半導體器件 機械和氣候試驗方法 第9部分：標志耐久性 |
國家市場監(jiān)督管理總局.
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2026-09-01 |
即將實施 |
| GB 4938-1985 |
半導體分立器件接收和可靠性 |
國家標準局
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1985-11-01 |
作廢 |
| GB 6801-1986 |
半導體器件基準測試方法 |
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1987-07-01 |
作廢 |
| SJ 1267-1977 |
半導體器件用散熱器在自然空氣冷卻狀態(tài)下的熱阻測試方法 |
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1978-01-01 |
廢止 |
| SJ 1400-1978 |
半導體器件參數(shù)符號 |
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2002-07-01 |
作廢 |
| SJ 1400-78 |
半導體器件參數(shù)符號 |
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1979-06-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 1602-1980 |
硅雙基極二極管測試方法總則 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1603-1980 |
硅雙基極二極管基極間電阻的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1604-1980 |
硅雙基極二極管發(fā)射極與第一基極間反向電流的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1605-1980 |
硅雙基極二極管飽和壓降的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1606-1980 |
硅雙基極管峰點電流的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1607-1980 |
硅雙基極二極管調(diào)制電流的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1608-1980 |
硅雙基極二極管各點電壓和各點電流的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 1609-1980 |
硅雙基極二極管分壓比的測試方法 |
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2002-05-01 |
作廢 |
| SJ 50033/154-2002 |
半導體分立器件 3DG251型硅超高頻低噪聲晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/155-2002 |
半導體分立器件 3DG252型硅微波線性晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
|
2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/156-2002 |
半導體分立器件 3DA505型硅微波脈沖功率晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
|
2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/157-2002 |
半導體分立器件 3DA506型硅微波脈沖功率晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
|
2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/158-2002 |
半導體分立器件 3DG44型硅超高頻低噪聲晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
|
2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/159-2002 |
半導體分立器件 3DG142型硅超高頻低噪聲晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
|
2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/160-2002 |
半導體分立器件 3DG122型硅超高頻小功率晶體管詳細規(guī)范 |
信息產(chǎn)業(yè)部
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2003-03-01 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 116-2021 |
電子元器件故障樹分析方法與程序 |
中國電子學會
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2022-02-01 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 119-2021 |
半導體器件大氣中子單粒子效應試驗方法與程序 |
中國電子學會
|
2022-02-01 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 121-2021 |
逆導型IGBT的熱阻測試方法 |
中國電子學會
|
2022-02-01 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 145-2022 |
輻射誘生缺陷的深能級瞬態(tài)譜測試方法 |
中國電子學會
|
2023-01-31 |
現(xiàn)行 |
| T/CIE 147-2022 |
空間行波管加速壽命試驗評估技術規(guī)范 |
中國電子學會
|
2023-01-31 |
現(xiàn)行 |
| ZB N 05005-1988 |
霍爾件通用技術條件 |
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1989-07-01 |
作廢 |