| 標準編號 |
標準名稱 |
發(fā)布部門 |
實施日期 |
狀態(tài) |
| SJ 50033/13-1994 |
半導體分立器件 3DK210型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
中國人民共和國電子工.
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/14-1994 |
半導體分立器件 3DK305型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
中國人民共和國電子工.
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/15-1994 |
半導體分立器件 3DK306型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/16-1994 |
半導體分立器件 3DK307型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/17-1994 |
半導體分立器件 3DK308型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/18-1994 |
半導體分立器件 2CZ73型硅開關整流二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/19-1994 |
半導體分立器件 2CZ74型硅開關整流二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/2-1994 |
半導體分立器件 3CK2904(2904A、2905和2905A)型PNP硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/20-1994 |
半導體分立器件 2CZ101型硅開關整流二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/21-1994 |
半導體分立器件 2CZ75型硅開關整流二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/22-1994 |
半導體分立器件 2CC51E型硅電調變容二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/23-1994 |
半導體分立器件 3DK309型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/24-1994 |
半導體分立器件 3DK310型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/25-1994 |
半導體分立器件 2CW1001~2CW1005型硅電壓調整二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/26-1994 |
半導體分立器件 2CW1006~2CW1015型硅電壓調整二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/27-1994 |
半導體分立器件 2EC600系列砷化鎵變容二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/28-1994 |
半導體分立器件 2CV334、2CV3338型微帶混頻二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/29-1994 |
半導體分立器件 EK20型砷化鎵高速開關組件詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/3-1994 |
半導體分立器件 GP、GT和GCT級GH21、GH22和GH23型半導體光耦合器詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/30-1994 |
半導體分立器件 3DD155型功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/31-1994 |
半導體分立器件 FH101型NPN硅功率達林頓晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/32-1994 |
半導體分立器件 3DK312型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/33-1994 |
半導體分立器件 FH121型NPN硅功率達林頓晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/34-1994 |
半導體分立器件 FH129型NPN硅功率達林頓晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/35-1994 |
GH30型半導體高速光耦合器詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/36-1994 |
半導體分立器件 3CD050型功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/37-1994 |
半導體分立器件 3DD164型功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/38-1994 |
半導體分立器件 CS4856~CS4861型硅N溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/39-1994 |
半導體分立器件 2CZ106型開關整流二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/4-1994 |
半導體分立器件 GP和GT級GF111型半導體紅色發(fā)光二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/40-1994 |
GT11型半導體硅NPN光敏晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/41-1994 |
GR9414型半導體紅外發(fā)射二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/42-1994 |
半導體分立器件 CS0467型砷化鎵微波場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/5-1994 |
半導體分立器件 GP和GT級GF311型半導體黃色發(fā)光二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/6-1994 |
半導體分立器件 GP和GT級GF411型半導體綠色發(fā)光二極管詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/7-1994 |
JWFX13型3cm波導低功率限幅器詳細規(guī)范 |
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/8-1994 |
半導體分立器件 3DK205型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033/9-1994 |
半導體分立器件 3DK206型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ/Z 9152.1-1987 |
頻率控制和選擇用石英晶體件 第一部分:標準值和試驗條件 |
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1988-01-06 |
廢止 |
| SJ/Z 9152.2-1987 |
頻率控制和選擇用石英晶體件 第二部分:頻率控制和選擇用石英晶體件使用指南 |
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1988-01-06 |
現(xiàn)行 |