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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：SJ 2294-1983	標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已廢止

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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介


英文名稱(chēng)：	Detail specification for silicon NPN epitaxial planar superhigh frequency low noise low power transistors,Type 3DG156
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：	已廢止
中標(biāo)分類(lèi)：	能源、核技術(shù)>>能源、核技術(shù)綜合>>F01技術(shù)管理
發(fā)布日期：	1983-01-14
實(shí)施日期：	1983-10-01
作廢日期：	2010-01-20
頁(yè)數(shù)：	3頁(yè)

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SJ 2354.10-1983 ＰＩＮ、雪崩光電二極管列陣串光因子的測(cè)試方法
SJ 2354.11-1983 ＰＩＮ、雪崩光電二極管列陣音區(qū)寬度的測(cè)試方法
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