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| 英文名稱： |
Detail specification for silicon NPN epitaxial planar superhigh frequency low noise low power transistors,Type 3DG149 |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已廢止 |
 中標(biāo)分類： |
能源、核技術(shù)>>能源、核技術(shù)綜合>>F01技術(shù)管理 |
| 發(fā)布日期： |
1983-01-14 |
| 實施日期： |
1983-10-01
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| 作廢日期： |
2010-01-20
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| 頁數(shù)： |
3頁 |
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