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| 英文名稱： |
Silicon carbide epitaxial wafers |
 中標分類： |
冶金>>半金屬與半導體材料>>H83化合物半導體材料 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導體材料 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2024-04-25 |
| 實施日期： |
2024-11-01
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| 提出單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
南京國盛電子有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、上海天岳半導體材料有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司、ＴＣＬ環(huán)鑫半導體(天津)有限公司、有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司、南京盛鑫半導體材料有限公司等 |
| 起草人： |
李國鵬、仇光寅、劉勇、駱紅、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗靜、馮淦、楊玉聰、王銀海、侯曉蕊、薛宏偉、劉紅超、金向軍、尚海波、劉薇、王巖、徐所成、李畢慶、陳浩、袁肇耿、周勛、劉長春、汪之涵、黃勤金、趙麗麗、胡動力、和巍巍 |
| 頁數(shù)： |
16頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |