|
| 英文名稱： |
General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride |
 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H83化合物半導(dǎo)體材料 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2018-12-28 |
| 實(shí)施日期： |
2019-07-09
|
| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司、合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司、蘇州納維科技有限公司、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 |
| 起草人： |
丁曉民、劉南柳、潘堯波、徐科、修向前、孫永健、王香、張國義 |
| 頁數(shù)： |
16頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |