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| 英文名稱： |
Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge |
 替代情況： |
替代GB/T 6616-2009 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法 |
| ICS分類： |
冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn) |
| 發(fā)布部門： |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) |
| 發(fā)布日期： |
2023-08-06 |
| 實(shí)施日期： |
2024-03-01
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| 提出單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、北京通美晶體技術(shù)股份有限公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司等 |
| 起草人： |
何烜坤、劉立娜、李素青、張穎、馬春喜、張海英、潘金平、丁雄杰、任殿勝、王元立、朱曉彤、張雪囡、佘宗靜、齊斐、許蓉、李明達(dá)、詹玉峰、黃笑容、邊仿 |
| 頁(yè)數(shù)： |
16頁(yè) |
| 出版社： |
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社 |