| 標(biāo)準(zhǔn)編號 |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實施日期 |
狀態(tài) |
| SJ 2179-1982 |
壓電濾波器術(shù)語和定義 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2180-1982 |
壓電濾波器電性能測試方法 |
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1983-01-01 |
作廢 |
| SJ 2181-1982 |
壓電濾波器型號命名方法 |
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1983-01-01 |
作廢 |
| SJ 2182-1982 |
壓電濾波器總技術(shù)條件 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2183-1982 |
石英晶體濾波器外形尺寸 |
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1983-01-01 |
作廢 |
| SJ 2184-1982 |
LT48A-LT172B型載波機(jī)用帶通陶瓷濾波器 |
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1983-01-01 |
作廢 |
| SJ 2193-1982 |
整流濾波阻流圈電氣參數(shù)系列 |
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1983-07-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2194-1982 |
CDL-100/C型C型鐵芯濾波阻流圈(電容輸入式) |
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1983-07-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2195-1982 |
CDL-100/L型C型鐵芯濾波阻流圈(電感輸入式) |
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1983-07-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2196-1982 |
地面用硅太陽電池電性能測試方法 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2197-1982 |
地面用標(biāo)準(zhǔn)硅太陽電池的標(biāo)定 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2199-1982 |
電聲器件名詞術(shù)語 |
電子工業(yè)部
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1983-07-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2206-1982 |
K-21系列反射速調(diào)管 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2213-1982 |
半導(dǎo)體光敏管、光耦合器件總技術(shù)條件 |
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1987-10-01 |
作廢 |
| SJ/T 2214-2015 |
半導(dǎo)體光電二極管和光電晶體管測試方法 |
工業(yè)和信息化部
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2015-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2214.1-1982 |
半導(dǎo)體光敏管測試方法總則 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.10-1982 |
半導(dǎo)體光敏二、三極管光電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.2-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管正向壓降的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.3-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管暗電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.4-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.5-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管結(jié)電容的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.6-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.7-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管飽和壓降的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.8-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管暗電流的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.9-1982 |
半導(dǎo)體光敏二、三極管脈沖上升、下降時間的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ/T 2215-2015 |
半導(dǎo)體光電耦合器測試方法 |
工業(yè)和信息化部
|
2015-10-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 2215.1-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器測試方法總則 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.10-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器直流電流傳輸比的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.11-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器脈沖上升、下降、延遲、貯存時間的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.12-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器入出間隔離電容的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.13-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電阻的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.14-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電壓的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.2-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向壓降的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.3-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向電流的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.4-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向電流的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.5-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向擊穿電壓的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.6-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)結(jié)電容的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.7-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.8-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.9-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(三極管)反向截止電流的測試方法 |
|
1983-07-01 |
作廢 |