| 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實(shí)施日期 |
狀態(tài) |
| T/CSA 102-2025 |
異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試 白光干涉法 |
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程.
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2025-10-30 |
現(xiàn)行 |
| GB/Z 102.17-2026 |
半導(dǎo)體器件 分立器件 第17部分：基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的磁耦合器和電容耦合器 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-01-04 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15449-1995 |
管殼額定開關(guān)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-08-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15450-1995 |
硅雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-08-01 |
作廢 |
| GB/T 15529-1995 |
半導(dǎo)體發(fā)光數(shù)碼管空白詳細(xì)規(guī)范 |
國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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1995-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 15651.6-2023 |
半導(dǎo)體器件 第5-6部分：光電子器件 發(fā)光二極管 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 20521.2-2025 |
半導(dǎo)體器件 第14-2部分：半導(dǎo)體傳感器 霍爾元件 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實(shí)施 |
| GB/T 26111-2023 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 術(shù)語(yǔ) |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2023-09-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 32817-2016 |
半導(dǎo)體器件 微機(jī)電器件 MEMS總規(guī)范 |
國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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2017-03-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 41852-2022 |
半導(dǎo)體器件 微機(jī)電器件 MEMS結(jié)構(gòu)黏結(jié)強(qiáng)度的彎曲和剪切試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2022-10-12 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 41853-2022 |
半導(dǎo)體器件 微機(jī)電器件 晶圓間鍵合強(qiáng)度測(cè)量 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2022-10-12 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 42158-2023 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 微溝槽和棱錐式針結(jié)構(gòu)的描述和測(cè)量方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2023-07-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 42191-2023 |
MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2023-09-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 42597-2023 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 陀螺儀 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2023-09-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43493.1-2023 |
半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第1部分：缺陷分類 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-07-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43493.2-2023 |
半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-07-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 43493.3-2023 |
半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第3部分：缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-07-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44513-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 傳感器用MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44514-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 層狀MEMS材料界面黏附能四點(diǎn)彎曲試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-09-29 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44515-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS壓電薄膜機(jī)電轉(zhuǎn)換特性測(cè)量方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-01-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44517-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS膜殘余應(yīng)力的晶圓曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-04-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44529-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 射頻MEMS環(huán)行器和隔離器 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-09-29 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44531-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于MEMS技術(shù)的車規(guī)級(jí)壓力傳感器技術(shù)規(guī)范 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-09-29 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44839-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS材料微柱壓縮試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-02-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44842-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 薄膜材料的彎曲試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-10-26 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44849-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 金屬膜材料成形極限測(cè)量方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-05-01 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 44919-2024 |
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 薄膜力學(xué)性能的鼓脹試驗(yàn)方法 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2024-11-28 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46567.1-2025 |
智能計(jì)算 憶阻器測(cè)試方法 第1部分：基礎(chǔ)特性 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2025-10-31 |
現(xiàn)行 |
| GB/T 46809.1-2025 |
半導(dǎo)體器件 第19-1部分：智能傳感器 智能傳感器的控制方案 |
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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2026-07-01 |
即將實(shí)施 |
| SJ/T 11152-1998 |
交流粉末電致發(fā)光顯示器件空白詳細(xì)規(guī)范 |
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1998-05-01 |
現(xiàn)行 |
| T/SLEIA 0004-2024 |
集成電路芯片長(zhǎng)期貯存技術(shù)規(guī)范 |
深圳市龍崗區(qū)電子行業(yè).
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2024-02-26 |
現(xiàn)行 |