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 SJ 2214.1-1982  半導(dǎo)體光敏管測試方法總則 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.10-1982  半導(dǎo)體光敏二、三極管光電流的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.2-1982  半導(dǎo)體光敏二極管正向壓降的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.3-1982  半導(dǎo)體光敏二極管暗電流的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.4-1982  半導(dǎo)體光敏二極管反向擊穿電壓的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.5-1982  半導(dǎo)體光敏二極管結(jié)電容的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.6-1982  半導(dǎo)體光敏三極管集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.7-1982  半導(dǎo)體光敏三極管飽和壓降的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.8-1982  半導(dǎo)體光敏三極管暗電流的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2214.9-1982  半導(dǎo)體光敏二、三極管脈沖上升、下降時間的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.1-1982  半導(dǎo)體光耦合器測試方法總則 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.10-1982  半導(dǎo)體光耦合器直流電流傳輸比的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.11-1982  半導(dǎo)體光耦合器脈沖上升、下降、延遲、貯存時間的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.12-1982  半導(dǎo)體光耦合器入出間隔離電容的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.13-1982  半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電阻的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.14-1982  半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電壓的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.2-1982  半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向壓降的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.3-1982  半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向電流的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.4-1982  半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向電流的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.5-1982  半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向擊穿電壓的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.6-1982  半導(dǎo)體光耦合器(二極管)結(jié)電容的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.7-1982  半導(dǎo)體光耦合器集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.8-1982  半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2215.9-1982  半導(dǎo)體光耦合器(三極管)反向截止電流的測試方法 1983-07-01 作廢
 SJ 2216-1982  硅光敏二極管 1983-07-01 作廢
 SJ 2217-1982  硅光敏三極管 1983-07-01 作廢
 SJ 2218-1982  半導(dǎo)體光敏二極管型光耦合器 1983-07-01 廢止
 SJ 2219-1982  半導(dǎo)體光敏三極管型光耦合器 1983-07-01 廢止
 SJ 2220-1982  半導(dǎo)體達林頓型光耦合器 1983-07-01 廢止
 SJ 2307-1983  防雷型氧化鋅壓敏電阻器總技術(shù)條件 1983-10-01 作廢
 SJ/T 2307.1-1997  電子器件詳細規(guī)范 浪涌抑制型壓敏電阻器 MYL1型防雷用氧化鋅壓敏電阻器 評定水平E 電子工業(yè)部 1998-01-01 作廢
 SJ 2309-1983  消噪型氧化鋅壓敏電阻器總技術(shù)條件 1983-10-01 廢止
 SJ 2309.1-1983  MYZ1型消噪用氧化鋅壓敏電阻器 1983-10-01 廢止
 SJ 3177-1988  MZ72型直熱式突變型消磁用正溫度系數(shù)熱敏電阻器詳細規(guī)范 評定水平E 1988-10-01 廢止
 SJ 50033.51-1994  半導(dǎo)體分立器件 CS0558型砷化鎵微波雙柵場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 電子工業(yè)部 1994-12-01 現(xiàn)行
 SJ 50033.52-1994  半導(dǎo)體分立器件 CS0529型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 電子工業(yè)部 1994-12-01 現(xiàn)行
 SJ 50033.53-1994  半導(dǎo)體分立器件 CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 電子工業(yè)部 1994-12-01 現(xiàn)行
 SJ 50033.54-1994  半導(dǎo)體分立器件 CS0532型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 電子工業(yè)部 1994-12-01 現(xiàn)行
 SJ 50033.55-1994  半導(dǎo)體分立器件 2CK82型硅開關(guān)二極管詳細規(guī)范 電子工業(yè)部 1994-12-01 現(xiàn)行
 SJ 50033.56-1994  半導(dǎo)體分立器件 2CK85型硅開關(guān)二極管詳細規(guī)范 電子工業(yè)部 1994-12-01 現(xiàn)行
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