| 標(biāo)準(zhǔn)編號 |
標(biāo)準(zhǔn)名稱 |
發(fā)布部門 |
實施日期 |
狀態(tài) |
| SJ 2214.1-1982 |
半導(dǎo)體光敏管測試方法總則 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.10-1982 |
半導(dǎo)體光敏二、三極管光電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.2-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管正向壓降的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.3-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管暗電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.4-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.5-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管結(jié)電容的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.6-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.7-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管飽和壓降的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.8-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管暗電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2214.9-1982 |
半導(dǎo)體光敏二、三極管脈沖上升、下降時間的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.1-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器測試方法總則 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.10-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器直流電流傳輸比的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.11-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器脈沖上升、下降、延遲、貯存時間的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.12-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器入出間隔離電容的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.13-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電阻的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.14-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.2-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向壓降的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.3-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.4-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.5-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.6-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(二極管)結(jié)電容的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.7-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.8-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2215.9-1982 |
半導(dǎo)體光耦合器(三極管)反向截止電流的測試方法 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2216-1982 |
硅光敏二極管 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2217-1982 |
硅光敏三極管 |
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1983-07-01 |
作廢 |
| SJ 2218-1982 |
半導(dǎo)體光敏二極管型光耦合器 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2219-1982 |
半導(dǎo)體光敏三極管型光耦合器 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2220-1982 |
半導(dǎo)體達林頓型光耦合器 |
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1983-07-01 |
廢止 |
| SJ 2307-1983 |
防雷型氧化鋅壓敏電阻器總技術(shù)條件 |
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1983-10-01 |
作廢 |
| SJ/T 2307.1-1997 |
電子器件詳細規(guī)范 浪涌抑制型壓敏電阻器 MYL1型防雷用氧化鋅壓敏電阻器 評定水平E |
電子工業(yè)部
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1998-01-01 |
作廢 |
| SJ 2309-1983 |
消噪型氧化鋅壓敏電阻器總技術(shù)條件 |
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1983-10-01 |
廢止 |
| SJ 2309.1-1983 |
MYZ1型消噪用氧化鋅壓敏電阻器 |
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1983-10-01 |
廢止 |
| SJ 3177-1988 |
MZ72型直熱式突變型消磁用正溫度系數(shù)熱敏電阻器詳細規(guī)范 評定水平E |
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1988-10-01 |
廢止 |
| SJ 50033.51-1994 |
半導(dǎo)體分立器件 CS0558型砷化鎵微波雙柵場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033.52-1994 |
半導(dǎo)體分立器件 CS0529型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033.53-1994 |
半導(dǎo)體分立器件 CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033.54-1994 |
半導(dǎo)體分立器件 CS0532型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033.55-1994 |
半導(dǎo)體分立器件 2CK82型硅開關(guān)二極管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |
| SJ 50033.56-1994 |
半導(dǎo)體分立器件 2CK85型硅開關(guān)二極管詳細規(guī)范 |
電子工業(yè)部
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1994-12-01 |
現(xiàn)行 |