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| 英文名稱： |
Trichlorosilane for silicon epitaxial |
 替代情況： |
替代GB/T 30652-2014 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H83化合物半導(dǎo)體材料 |
| ICS分類： |
電氣工程>>29.040絕緣流體 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2023-08-06 |
| 實施日期： |
2024-03-01
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| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草單位： |
洛陽中硅高科技有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、上海億鈳氣體有限公司、南京國盛電子有限公司、唐山三孚電子材料有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司等 |
| 起草人： |
萬燁、趙雄、嚴(yán)大洲、劉見華、張園園、李素青、李建新、李飛明、馮永平、孫任靖、張斌、顧廣安、于生海、鄧遠(yuǎn)紅、徐巖、李楷東、劉文明、李明達(dá)、付夢月、邱艷梅、邊紅利、史雋濤、梁秋鴻 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |