|
| 英文名稱： |
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption |
 替代情況： |
替代GB/T 1557-2006 |
| 中標分類： |
冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法 |
| ICS分類： |
冶金>>77.040金屬材料試驗 |
| 發(fā)布部門： |
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2018-09-17 |
| 實施日期： |
2019-06-01
|
| 提出單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 歸口單位： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部門： |
全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/T |
| 起草單位： |
新特能源股份有限公司、有研半導體材料有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基綠能科技股份有限公司、內蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半導體材料研究所、北京合能陽光新能源技術有限公司 |
| 起草人： |
銀波、夏進京、邱艷梅、劉國霞、柴歡、趙晶晶、劉文明、姚利忠、王海禮、鄧浩、?高明?、鄭連基、陳赫、石宇、楊旭、肖宗杰 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標準出版社 |
| 出版日期： |
2018-09-01 |